來源：新浪VR

隨著工藝縮減開始達(dá)到極限，芯片制造商開始尋找在給定的管芯空間中封裝越來越多的晶體管的其他方法。當(dāng)你不能前進(jìn)或后退時(shí)，你就會(huì)上去。這就是3D包裝的內(nèi)容。英特爾最近以Lakefield的形式推出了其首個(gè)3D堆疊SoC，該芯片具有EMIB互連和Foveros封裝技術(shù)，鼓勵(lì)了包括臺(tái)積電和三星在內(nèi)的其他主要代工廠加快朝同一方向努力。

臺(tái)積電的主要技術(shù)允許芯片的堆疊，或者我可以說超越簡(jiǎn)單的芯片堆疊，這就是所謂的SoIC：集成芯片系統(tǒng)。與傳統(tǒng)的使用微型凸塊的裸片堆疊不同，它可以通過對(duì)齊和限制各種硅裸片的金屬層來進(jìn)行裸片堆疊。

在最近的技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電展示了其在推動(dòng)這項(xiàng)技術(shù)發(fā)展方面的最新努力。該代工廠目前正在測(cè)試使用SoIC堆疊多達(dá)12個(gè)Hi的配置（在一個(gè)封裝中堆疊12個(gè)管芯）。管芯使用硅通孔（TSV）相互通信，其基本計(jì)劃類似于英特爾的Foveros，只是更先進(jìn)。某些層（或管芯）可用于計(jì)算和I / O，其余層可容納DRAM / SRAM或僅充當(dāng)活動(dòng)層之間的隔熱層。